1976 मध्ये झुमस्टेग इत्यादी. रुबिडियम टायटॅनिल फॉस्फेट (RbTiOPO) वाढवण्यासाठी हायड्रोथर्मल पद्धत वापरली₄, RTP) क्रिस्टल म्हणून संदर्भित. आरटीपी क्रिस्टल ऑर्थोम्बिक प्रणाली आहे, मिमी२ गुणांचा गट, P_na21 स्पेस ग्रुपमध्ये मोठे इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल गुणांक, हाय लाइट डॅमेज थ्रेशोल्ड, कमी चालकता, रुंद ट्रान्समिशन रेंज, नॉन-डेलीकसेंट, कमी इन्सर्शन लॉस असे सर्वसमावेशक फायदे आहेत आणि उच्च पुनरावृत्ती वारंवारतेच्या कामासाठी वापरले जाऊ शकते (100 पर्यंत kHz), इ. आणि मजबूत लेसर विकिरण अंतर्गत राखाडी चिन्हे नसतील. अलिकडच्या वर्षांत, इलेक्ट्रो-ऑप्टिक क्यू-स्विच तयार करण्यासाठी ही एक लोकप्रिय सामग्री बनली आहे, विशेषत: उच्च पुनरावृत्ती दर लेसर सिस्टमसाठी योग्य..

आरटीपीचा कच्चा माल वितळल्यावर विघटित होतो आणि पारंपारिक मेल्ट खेचण्याच्या पद्धतींनी वाढवता येत नाही. सहसा, वितळण्याचा बिंदू कमी करण्यासाठी फ्लक्सेसचा वापर केला जातो. कच्च्या मालामध्ये मोठ्या प्रमाणात फ्लक्स जोडल्यामुळे, ते’मोठ्या आकाराच्या आणि उच्च-गुणवत्तेसह RTP वाढवणे खूप कठीण आहे. 1990 मध्ये वांग जियांग आणि इतरांनी 15 चे रंगहीन, पूर्ण आणि एकसमान RTP सिंगल क्रिस्टल मिळविण्यासाठी सेल्फ-सर्व्हिस फ्लक्स पद्धतीचा वापर केला. मिमी×44 मिमी×34 मिमी, आणि त्याच्या कार्यक्षमतेवर एक पद्धतशीर अभ्यास केला. 1992 मध्ये Oseledchikइत्यादी. 30 आकाराचे RTP क्रिस्टल्स वाढवण्यासाठी समान सेल्फ-सर्व्हिस फ्लक्स पद्धत वापरली मिमी×40 मिमी×60 मिमी आणि उच्च लेसर नुकसान थ्रेशोल्ड. 2002 मध्ये कन्नन इत्यादी. थोड्या प्रमाणात MoO वापरले₃ (०.००२ mol%) उच्च-गुणवत्तेच्या RTP क्रिस्टल्सची वाढ करण्यासाठी शीर्ष-बियाण्याच्या पद्धतीमध्ये सुमारे 20 आकारमान मिमी 2010 मध्ये रॉथ आणि त्सीटलिन यांनी अनुक्रमे [100] आणि [010] दिशा बिया वापरल्या, मोठ्या आकाराच्या RTP वाढवण्यासाठी टॉप-सीड पद्धतीचा वापर केला.

KTP क्रिस्टल्सच्या तुलनेत ज्यांच्या तयारीच्या पद्धती आणि इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल गुणधर्म समान आहेत, RTP क्रिस्टल्सची प्रतिरोधकता 2 ते 3 ऑर्डरपेक्षा जास्त आहे (10⁸ Ω·cm), त्यामुळे RTP क्रिस्टल्सचा EO Q-स्विचिंग ऍप्लिकेशन्स म्हणून इलेक्ट्रोलाइटिक नुकसान समस्यांशिवाय वापर केला जाऊ शकतो. 2008 मध्ये शाल्डिनइत्यादी. सुमारे 0.5 च्या प्रतिरोधकतेसह सिंगल-डोमेन RTP क्रिस्टल वाढविण्यासाठी टॉप-सीड पद्धत वापरली.×10¹² Ω·cm, जे मोठ्या स्पष्ट छिद्रासह EO Q-स्विचसाठी खूप फायदेशीर आहे. 2015 मध्ये Zhou Haitaoइत्यादी. 20 पेक्षा जास्त अ-अक्ष लांबीसह RTP क्रिस्टल्सची नोंद केली आहे मिमी हायड्रोथर्मल पद्धतीने वाढले होते आणि प्रतिरोधकता 10 होती¹¹~ १०¹² Ω·सेमी. RTP क्रिस्टल हे द्विअक्षीय क्रिस्टल असल्याने, ते EO Q- स्विच म्हणून वापरले जाते तेव्हा ते LN क्रिस्टल आणि DKDP क्रिस्टलपेक्षा वेगळे असते. जोडीतील एक RTP 90 फिरवला जाणे आवश्यक आहे°नैसर्गिक बियरफ्रिंगन्सची भरपाई करण्यासाठी प्रकाशाच्या दिशेने. या डिझाईनसाठी केवळ क्रिस्टलचीच उच्च ऑप्टिकल एकरूपता आवश्यक नाही, तर Q-स्विचचे उच्च विलोपन गुणोत्तर प्राप्त करण्यासाठी दोन क्रिस्टल्सची लांबी शक्य तितक्या जवळ असणे आवश्यक आहे.

एक उत्कृष्ट म्हणून ईओ Q-स्विचing सह साहित्य उच्च-पुनरावृत्ती वारंवारता, RTP क्रिस्टलs आकाराच्या मर्यादेच्या अधीन जे मोठ्यांना शक्य नाही स्पष्ट छिद्र (व्यावसायिक उत्पादनांचे कमाल छिद्र फक्त 6 मिमी आहे). म्हणून, आरटीपी क्रिस्टल्सची तयारी सह मोठा आकार आणि उच्च गुणवत्ता तसेच जुळणारे तंत्र च्या RTP जोड्या अजून गरज आहे मोठ्या प्रमाणात संशोधन कार्य.