एलबीओ क्रिस्टल
एलबीओ (लीबी)3ओ5) चांगला अल्ट्राव्हायोलेट ट्रान्समिटन्स (210-2300 एनएम), हाय लेझर डॅमेज थ्रेशोल्ड आणि मोठ्या प्रभावी वारंवारतेच्या दुप्पट गुणांक (केडीपी क्रिस्टलच्या सुमारे 3 वेळा) असलेले एक प्रकारचे नॉन-रेखीय ऑप्टिकल क्रिस्टल आहे. म्हणूनच एलबीओ सामान्यत: हाय पॉवर दुसर्‍या आणि तिसर्‍या हार्मोनिक लेसर लाईटच्या निर्मितीसाठी वापरला जातो, खासकरुन अल्ट्राव्हायोलेट लेसरसाठी.
एलबीओमध्ये मोठे बँड अंतर आणि पारदर्शकता प्रदेश, उच्च नॉन-रेखीय जोड, चांगले रासायनिक आणि यांत्रिक गुणधर्म आहेत. ही वैशिष्ट्ये हे क्रिस्टल ऑप्टिकल पॅरामीट्रिक प्रक्रिया (ओपीओ / ओपीए) आणि नॉनक्रिटिकल फेज मॅचिंग (एनसीपीएम) मध्ये देखील सक्षम करतात.
आपल्या एलबीओ क्रिस्टल्सच्या अनुप्रयोगाच्या सर्वोत्कृष्ट निराकरणासाठी आमच्याशी संपर्क साधा.
WISOPTIC क्षमता - LBO
• मोठा छिद्र: जास्तीत जास्त 20x20 मिमी
• विविध आकार: जास्तीत जास्त लांबी 60 मिमी
• शेवटची कॉन्फिगरेशनः फ्लॅट किंवा ब्रूस्टर किंवा निर्दिष्ट
Trans उच्च ट्रान्समिटन्सः आर <0.1% (1064/532 एनएम वाजता) सह एआर कोटिंग
Ing आरोहित: विनंतीनुसार
Competitive अत्यंत स्पर्धात्मक किंमत
WISOPTIC मानक वैशिष्ट्ये* - एलबीओ
| परिमाण सहिष्णुता | . 0.1 मिमी |
| कोन सहिष्णुता | <± 0.25 ° |
| सपाटपणा | <λ / 8 @ 632.8 एनएम |
| पृष्ठभाग गुणवत्ता | <10/5 [एस / डी] |
| समांतरता | <20 " |
| लंब | ≤ 5 ' |
| चाम्फर | ≤ 0.2 मिमी @ 45 ° |
| प्रसारित वेव्हफ्रंट विकृती | <λ / 8 @ 632.8 एनएम |
| एपर्चर साफ करा | > 90% मध्यवर्ती क्षेत्र |
| कोटिंग | एआर कोटिंग किंवा ब्रॉड बँड एआर-कोटिंग
आर <0.1% @ 1064 एनएम, आर <0.1% @ 532 एनएम, आर <0.5% @ 355 एनएम |
| लेझर नुकसानीचा उंबरठा | > 10 जीडब्ल्यू / सेमी2 1064nm, 10ns, 10 हर्ट्जसाठी (केवळ पॉलिश केलेले) > 1.0 जीडब्ल्यू / सेमी2 1064nm, 10ns, 10 हर्ट्ज (एआर-लेपित) साठी > 0.5 जीडब्ल्यू / सेमी2 532 एनएम, 10 एनएस, 10 हर्ट्ज (एआर-लेपित) साठी |
| * विनंतीनुसार विशेष आवश्यकता असलेली उत्पादने. | |
मुख्य वैशिष्ट्ये - एलबीओ
• 160 एनएम पासून 2.6 µm पर्यंत विस्तृत पारदर्शकता श्रेणी
• उच्च ऑप्टिकल एकरूपता, समावेशन मुक्त
SH तुलनेने मोठे प्रभावी बचत गट (केडीपीपेक्षा तीनपट)
Type प्रकार I आणि प्रकार II ची विस्तृत तरंगलांबी श्रेणी नॉन-क्रिटिकल फेज मिलान (एनसीपीएम)
• वाइड स्वीकृती कोन, लहान चाला
• उच्च लेसर नुकसान उंबरठा
मोठ्या प्रमाणात नुकसान उंबरठा [1064nm, 1.3ns] ची तुलना
|
क्रिस्टल्स |
उर्जा उतार (J / सेमी²) |
उर्जा घनता (GW / सेमी²) |
|
केटीपी |
6.0 |
4.6 |
|
केडीपी |
10.9 |
8.4 |
|
बीबीओ |
12.9 |
9.9 |
|
एलबीओ |
24.6 |
18.9 |
प्राथमिक अनुप्रयोग - एलबीओ
Ither एकतर टाइप I किंवा टाइप II वारंवारता दुप्पट (एसएचजी) आणि उच्च पीक पॉवर एनडी-डोपेड (एनडी: वाईव्हीओ 4, एनडी: वाईजी, एनडी: वाईएलएफ), तिवारी: नीलम, अलेक्झांड्राइट आणि सीआर: लिसाफ लेसरची बेरीज वारंवारता निर्मिती (एसएफजी)
D एनडी-डोप्ड लेसरची तिसरी हार्मोनिक जनरेशन (टीएचजी)
– 1.0-1.3 µm साठी तापमान-नियंत्रणीय नॉन-क्रिटिकल फेज मॅचिंग (एनसीपीएम)
II खोलीचे तापमान एन.सी.पी.एम. टाइप II एस.एच.जी. साठी 0.8-1.1 µम
Type टाइप I आणि टाइप II फेज जुळण्याकरिता विस्तृतपणे ट्यून करण्यायोग्य ओपीओ / ओपीए
शारीरिक गुणधर्म - एलबीओ
| रासायनिक सूत्र | LiB3ओ5 |
| क्रिस्टल स्ट्रक्चर | ऑर्थोरोम्बिक |
| बिंदू गट | मिमी2 |
| अवकाश गट | Pna21 |
| लॅटीस स्थिर | अ= 8.46 Å, बी= 7.38 Å, सी= 5.13 Å, झेड= 2 |
| घनता | 2.474 ग्रॅम / सेंमी3 |
| द्रवणांक | 835 ° से |
| मोह कडकपणा | 6 |
| औष्मिक प्रवाहकता | W. 3.5 डब्ल्यू / (मी · के) |
| औष्णिक विस्तार गुणांक | αx= 10.8x10-5/ के, αy= -8.8x10-5/ के, αझेड= 3.4x10-5/ के |
| हायग्रोस्कोपिकिटी | किंचित हायग्रोस्कोपिक |
ऑप्टिकल गुणधर्म - एलबीओ
| पारदर्शकता प्रदेश ("०" संप्रेषण स्तरावर) |
155-3200 एनएम | |||
| अपवर्तक निर्देशांक | 1064 एनएम | 532 एनएम | 355 एनएम | |
|
एनx= 1.5656 एनy= 1.5905 |
एनx= 1.5785 एनy= 1.6065 |
एनx= 1.5973 एनy= 1.6286 |
||
|
रेखीय शोषण गुणांक |
350 ~ 360 एनएम |
1064 एनएम |
||
| α = 0.0031 / सेमी | α <0.00035 / सेमी | |||
|
एनएलओ गुणांक (@ 1064 एनएम) |
डी31 = 1.05 ± 0.09 pm / V, डी32 = -0.98 ± ०.० pm वाजता / व्ही, डी33 = 0.05 ± 0.006 दुपारी / व्ही |
|||
